一、基本情况
代岩伟，男，博士、教授、博导。2018年1月博士毕业于清华大学力学专业，获工学博士学位。2018年6月加入北京工业大学，历任博士后、讲师、副教授，2024年9月破格晋升教授。主要从事固体力学与集成电路封装技术领域的交叉研究工作。担任IEEE国际电子封装会议技术分委员会委员、北京力学会理事以及多个学术期刊编委、青年编委或客座编辑等。入选国家级青年人才、北京市科协青年人才托举工程、北京朝阳“凤凰计划”优秀青年人才和北京工业大学卓越人才等。先后承担了包括国家和北京市自然科学基金项目、基础科研重大项目（课题）、基础研究项目、航空科学基金项目、国防科技重点实验室项目以及HW等校企合作科研项目20余项。迄今已发表SCI论文70余篇，其中第一/通讯作者SCI论文50余篇。授权国家技术发明专利和软件著作权多项，参编GF工业领域集成电路行业标准多部。
二、研究方向
主要研究方向包括集成电路制造中的工艺力学问题，微纳电子器件多物理场跨尺度模拟，功率半导体器件封装可靠性，先进封装技术与人工智能交叉，以及高温结构完整性等。
三、科研项目
主持和骨干承担的主要纵向科研项目：
[1] XXXXXX制造技术，先进技术纵向科研项目，在研，课题负责人。
[2] 国家自然科学基金重点项目，批准号：12332005，在研，课题负责人。
[3] 国家自然科学基金面上项目，批准号：12272012，在研，主持。
[4] 北京市自然科学基金-小米创新联合基金前沿项目，批准号：L243030，在研，主持。
[5] 国防重点实验室创新基金项目，在研，主持。
[6] 航天科工防御技术研究试验中心协同创新基金项目，在研，主持。
[7] XXXXXX测试与分析技术研究，先进技术纵向科研项目，结题，课题负责人。
[8] 航空科学基金，批准号：2022Z057075001，结题，主持。
[9] 国家自然科学基金青年项目，批准号：11902009，结题，主持。
[10] 北京市自然科学基金青年项目，批准号：2204074，结题（优秀），主持。
[11] 北京市教育委员会科技计划一般项目，批准号：KM202010005034，结题，主持。
四、代表性研究成果
已在国际力学领域和集成电路封装领域权威期刊发表SCI论文70余篇，其中第一作者/通讯作者SCI论文50余篇。部分代表性的期刊论文如下：
（1）固体力学领域（疲劳与断裂、结构完整性）
[1] Dai YW, Liu YH, Chao YJ. Higher order asymptotic analysis of crack tip fields under mode II creeping conditions. International Journal of Solids and Structures, 2017, 125, 89-107.
[2] Dai YW, Liu YH, Qin F, Chao YJ, Berto F. Estimation of stress field for sharp V-notch in power-law creeping solids: An asymptotic viewpoint. International Journal of Solids and Structures, 2019, 180-181, 189-204.
[3] Dai YW, Qin F, Liu YH, Chao YJ. On the second order term asymptotic solution for sharp V-notch tip field in elasto-viscoplastic solids. International Journal of Solids and Structures, 2021, 217–218, 106-122.
[4] Kong WC, Dai YW*, Liu YH*, Out-of-plane effect on the sharp V-notch tip fields in power-law creeping solids: A three-dimensional asymptotic analysis, International Journal of Solids and Structures, 2022, 236–237, 111352.
[5] Chen ZY, Dai YW*, Liu YH*. Crack propagation simulation and overload fatigue life prediction via enhanced physics-informed neural networks. International Journal of Fatigue, 2024, 186, 108382.
[6] Kong WC, Dai YW *, Liu YH *, Nikbin Karman. A 3D microstructural constraint-based remaining ductility model for creep crack growth in metals. International Journal of Solids and Structures, 2025, 319, 113467.
[7] Kong WC, Dai YW*, Zhang X, Liu YH*. A dual-scale stochastic analysis framework for creep failure considering microstructural randomness, International Journal of Plasticity, 2025, 190, 104366.
（2）先进封装技术（如三维封装，Chiplet，异构集成以及封装工艺优化仿真等）
[1] Dai YW, Zhang M, Qin F, Chen P, An T. Effect of silicon anisotropy on interfacial fracture for three dimensional through-silicon-via (TSV) under thermal loading, Engineering Fracture Mechanics, 2019, 209, 274-300.
[2] Qin F, Zhao S, Dai YW*, Yang MK, Xiang M, Yu DQ. Study of warpage evolution and control for six-side molded WLCSP in different packaging processes. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 2020, 10(4): 730-738
[3] Zhang M, Qin F*, Chen S, Dai YW*, Jin Y, Chen P, An T, Gong YP. Holding time effect on mechanical properties and protrusion behaviors of through silicon via copper under various annealing processes, Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 158, 10735.（JCR Q2）
[4] Zhang M, Qin F*, Chen S, Dai YW*, Jin Y, Chen P, An T, Gong YP. Effect of capped Cu layer on protrusion behaviors of through Silicon Via Copper (TSV-Cu) under double annealing conditions: Comparative study, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2023, 23(1): 89-98.
[5] C Ma, HL Liu, F Qin*, YW Dai*. A novel wafer warpage prediction method considering characteristics of back-end-of-line layers and nonlinear stress-strain relation of Cu under large temperature variations, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, 2025, DOI: 10.1109/TCPMT.2025.3645192
（3）功率器件封装可靠性（第三代功率半导体互连和散热等）
[1] Zhao S, Dai YW*, Qin F*, Li Y, Liu L, Zan Z, An T, Chen P, Gong Y, Wang Y, On mode II fracture toughness of sintered silver based on end-notch flexure (ENF) test considering various sintering parameters, Materials Science and Engineering A, 2021, 823, 141729.
[2] Zhao S, Dai YW*, Qin F*, Li YN, An T, Gong YP, Effect of surface finish metallization layer on shearing fracture toughness of sintered silver bonded joints, Engineering Fracture Mechanics, 2022, 264: 108355.
[3] Zhao LB, Dai YW*, Qin F. Deep learning assisted prediction on main factors influencing shear strength of sintered nano Ag-Al joints under high temperature aging. Engineering Failure Analysis, 2025, 167, 109028
[4] Zhao LB, Dai YW*, Qin F. A Machine Learning Framework for Rapidly Identifying and Predicting Mechanical Properties of Interconnected Layer in SiC module Considering Surface Metallization Effect under High-Temperature Aging, IEEE Transactions on Industrial Informatics, 2025, 21(11), 8619-8629
[5] Liu YL, Dai YW*, Liu YH*. A microstructure based thermo-elastoplastic phase-field modelling for three-dimensional fatigue crack growth of nano-silver layer, International Journal of Fatigue, 2026, 203, 109335.
五、联系方式
欢迎对集成电路、先进制造技术、固体力学、疲劳与断裂等领域有学习兴趣，且人品正直、有学术追求的同学报考，鼓励研究生在学期间参加各类国内外学术会议和国际交流。致力于全面培养学生综合能力，特别是培养具有交叉研究能力的拔尖创新人才。
迄今培养/协作培养的10余名硕士、博士中获得北京市优秀毕业生、研究生国家奖学金、校优秀毕业论文、IEEE国际电子封装技术会议优秀论文等各类奖励10余人次。指导/协作指导毕业的学生中大部分在集成电路重要骨干企业或研究院所（如航天科工、中电科、荣耀、燕东微等）中承担集成电路领域的技术研发工作，也有部分选择高等院校继续深造。
常年招收各类博士后，待遇从优，特别优秀者待遇可面谈。
博士招生方向：①学博：力学（0801，数学统计学与力学学院）、低空技术与工程（0802J1，机械与能源工程学院）；②专博：机械（0855，机械与能源工程学院）。
硕士招生方向：①数学统计学与力学学院力学学硕-02固体力学和04工程力学方向；②机械与能源工程学院低空技术与工程学硕（0802J1）③机械与能源工程学院机械工程专硕-04方向高端装备强度与动态分析。
联系邮箱：ywdai@bjut.edu.cn。更多研究组最新研究动态，请前往以下网站查阅。
ResearchGate：https://www.researchgate.net/profile/Yanwei-Dai/research
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